近日最大的ITO鈀材高純銦供應(yīng)商株洲科能新材料股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“株洲科能”)科創(chuàng)板IPO獲上交所受理，本次擬募資5.88億元。本次擬募資用于年產(chǎn)500噸半導(dǎo)體高純材料項(xiàng)目及回收項(xiàng)目、稀散金屬先進(jìn)材料研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、補(bǔ)充流動(dòng)資金。

根據(jù)中國有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)稀散金屬分會(huì)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，近年來株洲科能高純銦產(chǎn)品國內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)50%左右，生產(chǎn)規(guī)模、產(chǎn)銷量、產(chǎn)值位居全國第一位；株洲科能純鎵產(chǎn)品國內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)20%左右，市場(chǎng)占有率國內(nèi)第二，具有較高的市場(chǎng)認(rèn)可度。株洲科能也已發(fā)展成為全球高純鎵、高純銦材料的主要提供商之一，產(chǎn)品技術(shù)性能整體處于國內(nèi)領(lǐng)先水平，先后成功配套Freiberger、AXT、Wafer、5NPlus、Rasa等全球主要化合物半導(dǎo)體廠商，系全球化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)Freiberger的高純鎵主要供應(yīng)商以及Wafer在中國境內(nèi)高純銦唯一供應(yīng)商，同時(shí)高純鎵、高純銦已基本覆蓋三安光電、蘇州納維、云南鑫耀、浙江康鵬等國內(nèi)近些年興起的主要化合物半導(dǎo)體廠商及中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所等科研單位，以及隆基綠能、江蘇協(xié)鑫等國內(nèi)領(lǐng)先的太陽能電池P型硅片生產(chǎn)企業(yè)。

據(jù)了解株洲科能為國內(nèi)領(lǐng)先的ITO、IGZO等靶材用銦提供商，占據(jù)國內(nèi)市場(chǎng)主導(dǎo)地位，基本覆蓋全球主要的ITO、IGZO靶材生產(chǎn)廠商，核心客戶包括三井金屬、ANP、光洋科技、隆華科技、阿石創(chuàng)、映日科技、河北恒博等國內(nèi)外下游行業(yè)主要知名廠商，系ITO靶材全球領(lǐng)先企業(yè)三井金屬在中國境內(nèi)的唯一供應(yīng)商。

株洲科能表示高純度鎵、銦等稀散金屬是化合物半導(dǎo)體、ITO靶材的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，其品質(zhì)對(duì)化合物半導(dǎo)體、靶材合成影響重大。由于化合物半導(dǎo)體及靶材行業(yè)的知名企業(yè)多位于境外發(fā)達(dá)國家，導(dǎo)致株洲科能所處的高純度稀散金屬行業(yè)呈現(xiàn)國際化競(jìng)爭(zhēng)格局，市場(chǎng)份額主要由IndiumCorporation、Dowa、Rasa及5NPlus等境外知名廠商及廣東先導(dǎo)、株洲科能等少數(shù)國內(nèi)企業(yè)占據(jù)。上述境外知名廠商因進(jìn)入行業(yè)時(shí)間早、配套下游行業(yè)知名客戶多，其技術(shù)水平、研發(fā)能力及產(chǎn)能規(guī)模較國內(nèi)廠商具有明顯優(yōu)勢(shì)。

株洲科能的高純產(chǎn)品主要包括高純銦、高純鎵等，可應(yīng)用于磷化銦、砷化鎵等化合物半導(dǎo)體襯底以及太陽能電池P型硅片，廣泛應(yīng)用于新一代顯示、無人駕駛、人工智能、5G通訊、新能源等體現(xiàn)未來國家競(jìng)爭(zhēng)力的重點(diǎn)領(lǐng)域。公司通過多年的深入研究，成功開發(fā)了“選擇性定向揮發(fā)真空冷凝技術(shù)”、“多模式電磁場(chǎng)調(diào)控定向凝固技術(shù)”、“循環(huán)高效電化學(xué)技術(shù)”等核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高純銦、高純鎵中雜質(zhì)元素的深度脫除，量產(chǎn)純度可達(dá)到8N；自主研發(fā)了高純銦、高純鎵自動(dòng)化生產(chǎn)設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)過程的自動(dòng)化，參數(shù)控制更加精準(zhǔn)，大幅提升產(chǎn)品一致性及穩(wěn)定性。

鑒于株洲科能在高純鎵、銦等稀散金屬制備領(lǐng)域整體技術(shù)領(lǐng)先、成套技術(shù)和裝備自主可控，實(shí)現(xiàn)高純鎵、銦等規(guī)模化生產(chǎn)，質(zhì)量穩(wěn)定可靠，產(chǎn)品一致性好，供貨能力穩(wěn)定，交付及時(shí)，公司已與Freiberger、AXT、Wafer、5NPlus、Rasa等國際知名化合物半導(dǎo)體企業(yè)以及三安光電、蘇州納維、云南鑫耀、浙江康鵬、珠海鼎泰、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所等國內(nèi)主要化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)、研究單位形成了穩(wěn)定的業(yè)務(wù)合作關(guān)系。

株洲科能靶材用電子級(jí)稀散金屬產(chǎn)品主要包括靶材用銦、氧化銦及氧化鎵等，可應(yīng)用于ITO靶材、IGZO靶材，廣泛應(yīng)用平面顯示、太陽能電池、節(jié)能玻璃、半導(dǎo)體等終端應(yīng)用領(lǐng)域。公司通過多年的深入研究，成功研發(fā)了“無雜質(zhì)致密電沉積技術(shù)”，解決了金屬銦生產(chǎn)過程硫、氯等雜質(zhì)元素不容易脫除的難題；開發(fā)了一系列真空除雜設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了高純金屬中雜質(zhì)元素的高效靶向脫除，與傳統(tǒng)的化學(xué)法相比，具有生產(chǎn)效率更高、環(huán)境污染極小等特點(diǎn)。公司依托自主開發(fā)的“超臨界水氧化技術(shù)”，解決了高溫高壓下水對(duì)容器的腐蝕、無機(jī)鹽結(jié)垢、氧化鎵的粒度和形貌不可控等問題，保證了氧化鎵材料高純度、粒度均勻及形貌的穩(wěn)定性。

ITO靶材生產(chǎn)過程包括金屬提純和靶材制造兩個(gè)核心環(huán)節(jié)。因高純金屬原料的品質(zhì)影響靶材的導(dǎo)電性能等性狀，對(duì)最終成膜的質(zhì)量有較大影響，且靶材種類繁多，客戶需求非標(biāo)，定制屬性明顯。故而金屬提純環(huán)節(jié)技術(shù)壁壘及附加值均較高。

其中銦屬于稀散金屬，因其具有可塑性、延展性、光滲透性和導(dǎo)電性等特點(diǎn)，而以化合物、合金的形式被廣泛應(yīng)用。目前，銦的主要應(yīng)用領(lǐng)域是平板顯示領(lǐng)域，包括ITO靶材及新興的銦鎵鋅氧化物（IGZO）靶材，占全球銦消費(fèi)量的80%；其次是半導(dǎo)體領(lǐng)域、焊料和合金領(lǐng)域、太陽能發(fā)電領(lǐng)域等。生產(chǎn)ITO靶材對(duì)于銦的純度要求一般在4N5及以上，生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體材料對(duì)于銦的純度要求則更高，一般在6N及以上。

2020-2022年，全球精銦產(chǎn)量分別為1,879噸、1,920噸和2,012噸，基本維持穩(wěn)定，其中原生銦產(chǎn)量分別為834噸、904噸和897噸。中國作為最大的原生銦生產(chǎn)國，原生銦產(chǎn)量分別為404噸、429噸和442噸，占世界總產(chǎn)量的50%左右。

平面顯示面板生產(chǎn)是ITO靶材當(dāng)前的主要需求領(lǐng)域。在平面顯示面板的生產(chǎn)工藝中，需要使用ITO靶材在玻璃基板上形成ITO薄膜。異質(zhì)結(jié)太陽能光伏電池在制備透明導(dǎo)電膜階段需要應(yīng)用ITO靶材，是ITO靶材未來需求的增長(zhǎng)點(diǎn)。

受益于全球平面顯示面板出貨面積穩(wěn)步增長(zhǎng)以及異質(zhì)結(jié)太陽能電池產(chǎn)能逐步提升，ITO靶材需求整體呈現(xiàn)上升趨勢(shì)。根據(jù)中國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)液晶分會(huì)的數(shù)據(jù)顯示，2019-2021年國內(nèi)ITO靶材市場(chǎng)容量從639噸增長(zhǎng)到1,002噸，年復(fù)合增長(zhǎng)率為25.22%，在2022年之后預(yù)計(jì)國內(nèi)市場(chǎng)也將穩(wěn)定增長(zhǎng)至2024年的1,210噸。

從國內(nèi)ITO靶材市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)情況看，我國仍對(duì)進(jìn)口的依賴程度較高，日韓企業(yè)占據(jù)了國內(nèi)市場(chǎng)的主導(dǎo)地位，如三井金屬、JX金屬、KVMaterialsCo.,Ltd.（原三星康寧靶材事業(yè)部）、ANP等占據(jù)了較大的市場(chǎng)份額。

近年來，隨著國家政策的鼓勵(lì)與資金的支持，部分企業(yè)已經(jīng)突破了關(guān)鍵技術(shù)門檻，國產(chǎn)ITO靶材領(lǐng)域涌現(xiàn)出隆華科技、廣東先導(dǎo)、映日科技、阿石創(chuàng)等國內(nèi)ITO靶材領(lǐng)先企業(yè)。隨著JX金屬于2023年3月宣布不再生產(chǎn)ITO靶材產(chǎn)品，未來國產(chǎn)靶材將逐步擴(kuò)大國內(nèi)ITO靶材市場(chǎng)份額，進(jìn)一步改變國內(nèi)高端平面顯示用ITO靶材產(chǎn)品長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的局面。

株洲科能認(rèn)為，近年來受國際經(jīng)貿(mào)關(guān)系影響，部分國家采取技術(shù)封鎖、出口管制、貿(mào)易制裁等手段打壓限制我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。株洲科能的高純銦、高純鎵產(chǎn)品主要應(yīng)用于制備磷化銦、砷化鎵等Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料。磷化銦、砷化鎵作為第二代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、電子遷移率高等特點(diǎn)，是當(dāng)今信息技術(shù)的重要支撐之一，是射頻微電子和各類光電子器件的核心基礎(chǔ)材料并廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、精確制導(dǎo)、衛(wèi)星通訊、5G等微電子領(lǐng)域以及各類激光器、探測(cè)器等光電子領(lǐng)域。

隨著信息技術(shù)的發(fā)展，應(yīng)用端向更高峰值功率、更寬帶寬以及更高頻的方向進(jìn)化，對(duì)相關(guān)器件的頻率、擊穿漏電等性能的要求也不斷提升，進(jìn)而對(duì)磷化銦、砷化鎵襯底及外延片材料提出了更高要求。

影響上述器件性能的一個(gè)重要技術(shù)指標(biāo)便是襯底和外延材料的純度，特別是外延材料，要求的背景載流子濃度小于1014cm-3級(jí)。影響外延材料背景載流子濃度的首要因素就是高純銦、鎵、砷、磷等原材料的純度，在此背景載流子濃度要求下，原材料中的某些會(huì)產(chǎn)生導(dǎo)電載流子的雜質(zhì)（如硅、硫、鋅以及氧、鐵、鎳等）含量需要控制在10ppb以下。因此，7N5及以上純度的超高純銦、鎵等原材料，將成為化合物半導(dǎo)體器件發(fā)展的重要支撐，未來，實(shí)現(xiàn)高純及超高純稀散金屬等關(guān)鍵基礎(chǔ)原材料的“自主可控”對(duì)于保障國家電子信息材料產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)安全具有重要意義。

未來株洲科能將積極把握化合物半導(dǎo)體、新能源等產(chǎn)業(yè)良好的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇，加快“年產(chǎn)500噸半導(dǎo)體高純材料項(xiàng)目及回收項(xiàng)目”等募投項(xiàng)目的實(shí)施，進(jìn)一步提升高純銦、高純鎵等主要產(chǎn)品產(chǎn)能規(guī)模和市場(chǎng)占有率，加快形成原料、產(chǎn)品、尾料回收的綠色循環(huán)產(chǎn)業(yè)鏈。